日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会 |
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「窒化物半導体の結晶成長の現状と課題」 － 光･電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して － |
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| 開催のご案内 | ||
日本結晶成長学会は，「ナノ構造･エピタキシャル成長分科会」を担当委員会とし，日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」161委員会と共催で，特別講演会を開催いたします． 結晶成長関連で新たなチャレンジをされる研究者・技術者の方々，そして既に関連分野でご活躍の方々，学生の方々におかれましては，この分野の最前線で活躍をしておられる講師に触れることが出来，今後の展望を共に議論をすることが出来る絶好の機会ですので，是非，ご参加下さい． |
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メールでの事前受付は終了致しました。 尚、当日会場でも参加の受付を致しますので、事前申込をされていなくともご参加いただけます。 |
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| 日 時 | ２００７年４月１３日（金） | |
| 場 所 | 野口英世記念会館（東京･千駄ヶ谷） TEL／03-3357-0742 URL／http://noguchi.atmark.gr.jp 交通／JR[千駄ヶ谷駅]より900ｍ徒歩９分，都営大江戸線 [国立競技場駅] A3出口より徒歩7分 |
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| 主 催 | 日本結晶成長学会，日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」161委員会 | |
| 協 賛 | 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会，応用物理学会， 応用物理学会結晶工学分科会 | |
| 参加費 | 結晶成長学会会員 ２，０００円 学生会員 １，０００円 非会員（一般・学生）５，０００円 懇親会費 ５，０００円 ＜協賛委員・協賛会員の参加費は、日本結晶成長学会会員と同額です＞ |
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| プログラム | ||
| 11:00～13:00 | 講演会・研究会（午前の部）（於 講堂） | |
| ＜デバイスの立場から＞ | ||
| 11:00～11:30 | 窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題 天野 浩（名城大学） |
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| ＜バルク成長の立場から＞ | ||
| 11:30～12:00 | Advanced-DEEP法による低転位GaN結晶 元木健作，岡久拓司，弘田 龍, 中畑成二，上松康二，松本直樹（住友電工） |
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| 12:00～12:30 | Naフラックスを用いたLPE法による大型高品質GaN結晶育成 川村 史朗, 森 勇介, 北岡 康夫, 吉村 政志, 佐々木孝友（大阪大学） |
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| 12:30～13:00 | 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法による高品質GaN単結晶作製 鏡谷 勇二, 星野 成大, Dirk Ehrentraut, 三川 豊 (東北大多元研), 川端紳一郎, 伊藤 浩久 (三菱化学㈱),横山 千昭, 福田 承生 （東北大多元研） |
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| 13:00～14:00 | (昼食) | |
| 14:00～17:00 | 講演会・研究会（午後の部）（於 講堂） | |
| ＜エピ成長の立場から＞ | ||
| 14:00～14:30 | 高効率大面積AlGaN深紫外発光素子実現のためのMOCVD成長 武内 道一（理化学研究所、東京工業大学） |
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| 14:30～15:00 | 高効率可視光LED実現に向けた窒化物半導体エピタキシャル成長技術 只友 一行, 星野 勝之（山口大学） |
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| 15:00～15:30 | GaN系ヘテロ構造FETにおける分極効果制御とデバイス特性 － 新規ヘテロ構造及び絶縁膜適用による新局面の可能性 － 前田 就彦（NTT） |
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| 15:30～15:50 | 休憩 | |
| 15:50～17:00 | パネルディスカッション 司会；平松 和政（三重大学） | |
| 17:30～ | 懇親会 （於 ２Fロビー） |
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| 参加申込み,お問合せ先； 日本結晶成長学会事務局 jacg@words-smile.com TEL:03-5950-1290 | ||