2011年日本結晶成長学会特別講演会
「バルク半導体結晶開発に見る温故知新」 開催のご案内



　　　　　　　　今世紀においても単結晶材料の代表であるSiやGaAs等，バルク半導体結晶の産業界における
　　　　 　　地位は不動であろう．これまで，これらの結晶は，その開発に膨大な人，金，時間の投資行われて
　　　　 　　きた歴史がある．結晶作製における問題点は，産業界からの厳しいスペックの要求と常に結びつき，
　　　　 　　その内容は，幅広く多岐にわたるが，結晶成長学的にも重要な事項を含む．その解決は，技術的
　　　　 　　なノウハウと原理原則にのっとった基礎的思考がうまく絡み合って始めて可能となったケースも多い．
　　　　 　　そこで，本特別講演会では，過去１０－２０年の間に起きたいくつかの興味ある問題点と，その解決
　　　　 　　法について，当時、現場や研究所の第一線で問題解決に当たられた方々に，今だからできる話を
　　　　 　　していただく．本講演会が若い人達に知恵と勇気を与える機会になれば幸いである．

　　※プログラム，懇親会の時間が変更になりました．
　　→「東日本大震災の被災報告－東北大学の例－」が追加されました．
　　　 懇親会の時間が17:45-19:30から18:00-20:00に変更となりました．
　　日　時 2011年6月10日（金） 13:00～17:45
　　場　所 キャンパス・イノベーションセンター東京 国際会議室 （東京都港区芝浦3-3-6）
交通／JR山手線・京浜東北線[田町駅] 徒歩1分, 都営三田線・浅草線[三田駅] 徒歩5分
地図はこちらを参照して下さい．
　　主　催 日本結晶成長学会
　　参加費 正会員 1,000円，　学生会員 500円
非会員 2,000円，　非会員学生 1,000円

　　懇親会費 一般 5,000円，　学生 2,000円
（於　ﾆｭｰﾄｰｷｮｰﾋﾞｱﾚｽﾄﾗﾝ 田町ｾﾝﾀｰﾋﾞﾙ店(JR田町駅西口 徒歩1分)）
　　参加申込み 2011年日本結晶成長学会特別講演会（参加申込み）
上記の文字をクリックしていただけますと，メールが起動してメール送信画面になります．
表示されております件名（JACG_LectureMeeting2011）をそのままにして，氏名，ﾌﾘｶﾞﾅ，
所属，連絡先，懇親会参加の有無を記載して事務局までお送り下さい．

 6月3日（金）昼12:00に，メールでの受付は終了致します．
当日、会場でも参加の受付を致しますので、事前申込をされていなくともご参加いただけます．
※もしもメール送信画面にならない場合は，jimukyoku [at] jacg.jpまで，メール件名を
必ずJACG_LectureMeeting2011（単語の間にｽﾍﾟｰｽを入れないで下さい） として
メールをお送りください．



　　プログラム
　　13：00 - 13：10 　　開会の挨拶
　　竹田　美和　(名古屋大学工学研究科)
　　13：10 - 13：55 　　1.「COPの発見からCOPフリー結晶の量産まで」
　　降屋　久　(㈱SUMCO)
　　13：55 - 14：40 　　2.「シリコン結晶技術のここ１０年の変遷」
　　鹿島　一日兒　(コバレントシリコン㈱)
　　14：40 - 14：55　　　 休憩
　　14：55 - 15：40 　　3.「半絶縁性GaAs 結晶無転位化育成の背景」
　　宮澤　信太郎　(早稲田大学・材研)
　　15：40 - 16：25 　　4.「半絶縁性GaAs結晶における均一性向上熱処理法の開発
　　－ヒントは半導体工学より伝統的熱処理－」
　　乙木　洋平　(日立電線㈱)
　　16：25 - 16：40　　　 休憩
　　16：40 - 17：25 　　5.「“濡れ”＆“破裂”との闘い －GaAs結晶の研究開発から量産への道－」
　　藤田　慶一郎　(JSTプラザ宮城，東北大学)
　　17：25 - 17：45 　　6.「東日本大震災の被災報告－東北大学の例－」
　　宇田　聡　(東北大学)
　　18：00 - 20：00　　　　 懇親会

　　　備考：各講演は45分(質疑応答を含む)を予定しております．
　　　（世話人）宇田　聡，藤岡　洋


参加申込み,お問合せ先； 日本結晶成長学会事務局
E-mail:jacg@words-smile.com TEL:03-5950-4741