ナノ・エピシンポジウムプログラム

開催日時：平成17年8月18日（木）　9：30 〜 12:40

場所：K108

	シンポジウム「立方晶GaN結晶成長を考える」
	座長：吉崎　泉
9:30〜9:55	「GaAs上への立方晶GaNの成長とその評価」
	片山　竜二	東京大学
9:55〜10:20	「GaAsならびに3C-SiC上への立方晶GaNのMBE成長の問題点」
	奥村　元	産業技術総合研究所
10:20〜10:45	「Si上への立方晶GaNのMBE成長」
	大鉢　忠	同志社大学
10:45〜11:10	「Si上への立方晶InNのMBE成長」
	淀　徳男	大阪工業大学
11:10〜11:25	休憩
	座長：中田俊隆
11：25〜11：50	「エネルギー的観点から見た立方晶，六方晶GaNの作り分け」
	伊藤　智徳	三重大学
11：50〜12：15	「サファイヤ上への立方晶，六方晶GaNのMBE成長」
	須田　淳	京都大学
12:150〜12：40	「MOVPE成長立方晶GaN中の欠陥評価」
	秩父　重英	筑波大学

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