1.主旨
優れた原著研究論文を内外の権威ある学術雑誌などに印刷公表した会員を表彰する目的で、その会員に日本結晶成長学会論文賞を授与する。受賞日は第35回結晶成長国内会議（NCCG-35、広島大）の会期中とする。

最近5年間の受賞者は、次の通りである。

竹田美和

（埋もれた活性領域の非破壊原子レベル構造解析と結晶成長過程の解明）

NCCG-31

佐藤清隆

（テンプレートによる不均一核生成の解明）

ICCG-13/ICVGE-11

逸見　学

（CZ成長シリコン単結晶中の八面体空洞欠陥の実態解明）

ICCG-13/ICVGE-11

中嶋一雄

（全率固溶体型状態図を有する多元系バルク単結晶の組成制御成長技術の開発と応用）

NCCG-32

宇田　聡

（ランガサイト結晶成長メカニズムの研究と高品質単結晶育成への応用）

NCCG-33

黄　新明、太子敏則、干川圭吾

（無ネッキングによる無転位シリコン単結晶成長法）

NCCG-33

中村浩三

（CZシリコン単結晶成長中に発生する点欠陥の発生機構と拡散挙動の研究）

NCCG-34

名西憓之

（InNおよびInGaN高品質エピタキシャル層のＭＢＥ成長）

NCCG-34

2.推薦または応募の方法、その他

(1)	会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)当該論文の別刷7部、(B)400字程度の推薦（または自薦）理由書７部、（C）候補者（会員である共著者全員）の勤務地、職名、所在地、電話、自宅住所、氏名、生年月日、E-mailアドレスを記入した文書７部。
(2)	受賞の資格は会員（会費完納者）であることとする。共著者に非会員が含まれることは差し支えない。非会員共著者には授賞されない。
(3)	候補論文は内外の権威ある学術雑誌などに掲載されたものとする。シリーズとして何回かにわたって発表されたものでも良いが、その場合には、そのシリーズ全部に共通の著者のみを受賞資格者とする。
(4)	推薦・応募の締切日は2005年2月21日（月）正午必着とする。 選考委員は佐々木孝友（会長）、平松和政（編集委員長）、中嶋一雄（編集次期委員長）、渡邉匡人、荒木　努、阿久津典子、松浦良樹の各委員である。
(5)	書類は封筒に「結晶成長学会論文賞」と朱書の上、下記に送られたい。

1.主旨
戦後わが国の発展はハード先行の技術開発で築いてきた。とりわけ、結晶成長技術はハードを支える基盤であり、半導体工業の発展もシリコンなどの優れた単結晶の製造技術に支えられてきたと言っても過言ではない。しかし、最近になって、工業界ではリスクの大きいハードの開発を避け、ソフト指向が強まり、また、若手研究者もどんどんソフト分野に流れて、技術立国の２１世紀は暗い。日本結晶成長学会ではこの状況を憂い、「日本結晶成長学会技術賞」を設けて結晶成長分野の一層の充実と発展をはかり、本会の使命を達成したい。そこで、実際の結晶成長に従事し、結晶成長技術の進展に功績のある会員（グループ）に「日本結晶成長学会技術賞」を授与する。なお、授賞日は第35回結晶成長国内会議（NCCG-35、広島大）の会期中とする。

最近5年間の受賞者は、次の通りである。

平野立一、小廣健司、甲斐荘敬司、小田 修

（高品質InP単結晶の開発）

NCCG-31

細川忠利、町田 博、樋口幹雄

（光アイソレータ用高品質ルチル単結晶の開発）

ICCG-13/ICVGE-11

島貫 康、森田悦郎、降谷 久、池澤一浩、原田和浩、田中俊郎、龍田次郎

（シリコン結晶中のCOPの発見とCOPフリー”ピュアシリコン”の開発）

ICCG-13/ICVGE-11

長澤弘幸、八木邦明、河原孝光

（アンジュレーション付Si(001)基板への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長）

NCCG-32

進藤　勇

（四楕円鏡型赤外線単結晶製造装置の開発とその利用法）

NCCG-32

古川保典、松村禎夫、伊藤 猛、羽生真之、松倉 誠、名取雅公、北村健二、竹川俊二

（定比ニオブ酸リチウム・タンタル酸リチウム単結晶の実用開発）

NCCG-33

角谷 均、戸田直大、佐藤周一

（高純度，高完全性ダイヤモンド単結晶の工業的育成法の開発）

NCCG-33

石橋浩之、藏重和央、住谷圭二

（PET用φ105 mm - GSO単結晶の開発）

NCCG-34

碓井 彰

（FIELO( facet initiated epitaxial lateral overgrowth )法によるGaN厚膜単結晶成長法の開発）

NCCG-34

2.推薦または応募の方法

(1)	会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)推薦理由書および参考資料（論文、解説記事、学会発表、特許、製品紹介記事、新聞記事など）各７部、（B）候補者（グループ）の勤務地、職名、所在地、電話、氏名、E-mailアドレスを記入した文書７部。
(2)	受賞者（グループ）の資格は会員（会費完納者）であることとする。
(3)	推薦・応募の締切日は2005年2月21日（月）正午必着とする。 選考委員は佐々木孝友（会長）、平松和政（編集委員長）、中嶋一雄（次期編集委員長）、柿本浩一、碓井　彰、成塚重弥、金子文俊の各委員である。
(4)	書類は封筒に「結晶成長学会技術賞」と朱書の上、下記に送られたい。

1.主旨
内外の権威ある学術雑誌などに発表された原著論文の第一著者が、2005年4月1日現在、満35歳未満であり、その論文が注目され、将来結晶成長学の進歩発展への貢献が大いに期待されると認められる個人会員に日本結晶成長学会奨励賞を授与する。受賞日は第35回結晶成長国内会議（NCCG-35、広島大）の会期中とする。

最近2年間の受賞者は、次の通りである。

長島和茂

(1)	"Time development of a solute diffusion field and morphological instability on a planar interface in the directional growth of ice crystals", in J. Crystal Growth, 202 (2000) 167-174.	NCCG-33
(2)	"Interferometric observation of the effects of gravity on the horizontal growth of ice crystals in a thin growth cell", in Physica D, 147 (2000) 177-186.

吉崎 泉

(1)	"Systematic analysis of supersaturation and lysozyme crystal quality", in Acta Crystallographica D 57 (2001) 1621-1629.	NCCG-33
(2)	"Systematic analysis of the effect of supersaturation on protein crystal quality" in J. Crystal Growth 237-239 (2002) 295-299.

寒川義裕

(1)

"Theoretical approach to influence of As2 pressure on GaAs growth kinetics", in Surf. Sci. 507-510 (2002) 285-289.

NCCG-34

2.推薦または応募の方法

(1)	会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)当該論文の別刷７部、(B)400字程度の推薦（または自薦）理由書７部、（C）候補者の勤務地、職名、所在地、電話、自宅住所、氏名、生年月日、E-mailアドレスを記入した文書9部。
(2)	受賞の資格は会員（会費完納者）であることとする。
(3)	候補論文は内外の権威ある学術雑誌などに掲載されたものとする。また、対象者は第一著者のみで、2005年4月1日現在において満35歳未満であることとする。
(4)	推薦・応募の締切日は2005年2月21日（月）正午必着とする。選考委員は論文賞の選考委員と同じである。
(4)	書類は封筒に「結晶成長学会奨励賞」と朱書の上、下記に送られたい。

〒565-0871　吹田市山田丘2-1
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
日本結晶成長学会会長　佐々木孝友
Tel：06-6879-7706　Fax：06-6879-7708
E-mail：sasaki@pwr.eng.osaka-u.ac.jp