第33回結晶成長国内会議講演奨励賞の授賞者の発表

講演奨励賞選考委員会委員

大鉢忠（委員長）、佐々木孝友、柿本浩一、纐纈明伯、佐藤清隆、早川泰弘

選考経過

　日本結晶成長学会では、若手結晶成長研究者の育成と研究発表の奨励を目的とし、結晶成長学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文（ポスターセッション論文を含む）を発表した若手の会員に「講演奨励賞」を贈ることにしました。大阪大学で開催された第33回結晶成長国内会議において、講演奨励賞に申請された各講演について、審査員2名で審査を行いました。その結果をまとめ、講演奨励賞選考委員会で6名の最終候補者を決めました。持ちまわりの理事会で6名全員を授賞者とすることに決定いたしました。

授賞者　（受賞者（所属）、講演題目）

　須田 淳(京都大院・工)

　　(界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長)

　加藤 亮(名古屋大院・理)

　　(上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行II)

　山口智広(立命館大・理工)

　　(高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現)

　上原拓也(京都大院・エネルギー科学)

　　(フェーズフィールドモデルによるファセット形成過程のシミュレーション)

　森 智徳(金沢大院・自然科学)

　　(Si(001)微斜面での通電加熱時のステップ束の形成と成長則)

　城 貞晴(山口東京理科大・基礎工)

　　(アントラセン単結晶の気相成長と物性評価)