日本結晶成長学会
第21回論文賞・第11回技術賞・第2回奨励賞
候補者推薦のお願い
＜論文賞＞
1.
主旨
優れた原著研究論文を内外の権威ある学術雑誌などに印刷公表した会員を表彰する目的で、その会員に日本結晶成長学会論文賞を授与する。受賞日は第34回結晶成長国内会議（NCCG-34、東京農工大）の会期中とする。
最近５年間の受賞者は、次の通りである。
纐纈明伯
（その場測定による表面反応過程の解明）
NCCG-30
竹田美和
（埋もれた活性領域の非破壊原子レベル構造解析と結晶成長過程の解明） NCCG-31
佐藤清隆
（テンプレートによる不均一核生成の解明） ICCG-13/ICVGE-11
逸見 学
（CZ成長シリコン単結晶中の八面体空洞欠陥の実態解明） ICCG-13/ICVGE-11
中嶋一雄 NCCG-32
（全率固溶体型状態図を有する多元系バルク単結晶の組成制御成長技術の開発と応用）
宇田 聡 NCCG-33
(ランガサイト結晶成長メカニズムの研究と高品質単結晶育成への応用)
黄 新明、太子敏則、干川圭吾 NCCG-33
(無ネッキングによる無転位シリコン単結晶成長法)
2. 推薦または応募の方法、その他
(1) 会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)当該論文の別刷9部、(B)400字程度の推薦（または自薦）理由書9部、（C）候補者（会員である共著者全員）の勤務地、職名、所在地、電話、自宅住所、氏名、生年月日、E-mailアドレスを記入した文書9部。
(2) 受賞の資格は会員（会費完納者）であることとする。共著者に非会員が含まれることは差し支えない。非会員共著者には授賞されない。
(3)
候補論文は内外の権威ある学術雑誌などに掲載されたものとする。シリーズとして何回かにわたって発表されたものでも良いが、その場合には、そのシリーズ全部に共通の著者のみを受賞資格者とする。
(4)
推薦・応募の締切日は2004年2月24日（火）正午必着とする。
選考委員は大鉢 忠（会長）、平松和政（編集委員長）、中嶋一雄、干川圭吾、
宇田 聡、黄 新明、小田 修、伊藤智徳、日比谷孟俊の各委員である。
（選考委員は会長と会誌編集委員長の他、毎年半数交代となる。）
(5) 書類は封筒に「結晶成長学会論文賞」と朱書の上、下記に送られたい。
＜技術賞＞
1. 主旨
戦後わが国の発展はハード先行の技術開発で築いてきた。とりわけ、結晶成長技術はハードを支える基盤であり、半導体工業の発展もシリコンなどの優れた単結晶の製造技術に支えられてきたと言っても過言ではない。しかし、最近になって、工業界ではリスクの大きいハードの開発を避け、ソフト指向が強まり、また、若手研究者もどんどんソフト分野に流れて、技術立国の２１世紀は暗い。日本結晶成長学会ではこの状況を憂い、「日本結晶成長学会技術賞」を設けて結晶成長分野の一層の充実と発展をはかり、本会の使命を達成したい。そこで、実際の結晶成長に従事し、結晶成長技術の進展に功績のある会員（グループ）に「日本結晶成長学会技術賞」を授与する。なお、授賞日は第34回結晶成長国内会議（NCCG-34、東京農工大）の会期中とする。
過去５年間の受賞者は、次の通りである。
藤田慶一郎、龍見雅美、盛岡幹雄、薮原良樹、川瀬智博、細川佳宏
（大口径高品質化合物半導体基板の開発）
NCCG-30
平野立一、小廣健司、甲斐荘敬司、小田 修
(高品質InP単結晶の開発) NCCG-31
細川忠利、町田 博、樋口幹雄
（光アイソレータ用高品質ルチル単結晶の開発） ICCG-13/ICVGE-11
島貫康、森田悦郎、降谷 久、池澤一浩、原田和浩、田中俊郎、龍田次郎
（シリコン結晶中のCOPの発見とCOPフリー”ピュアシリコン”の開発）ICCG-13/ICVGE-11
長澤弘幸、八木邦明、河原孝光
（アンジュレーション付Si(001)基板への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長） NCCG-32
進藤勇
（四楕円鏡型赤外線単結晶製造装置の開発とその利用法） NCCG-32
古川保典、松村禎夫、伊藤 猛、羽生真之、松倉誠、名取雅公、北村健二、竹川俊二
(定比ニオブ酸リチウム・タンタル酸リチウム単結晶の実用開発) NCCG-33
角谷 均、戸田直大、佐藤周一
(高純度，高完全性ダイヤモンド単結晶の工業的育成法の開発) NCCG-33
２．推薦または応募の方法
(1) 会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)推薦理由書および参考資料（論文、解説記事、学会発表、特許、製品紹介記事、新聞記事など）各8部、（B）候補者（グループ）の勤務地、職名、所在地、電話、氏名、E-mailアドレスを記入した文書8部。
(2) 受賞者（グループ）の資格は会員（会費完納者）であることとする。
(3) 推薦・応募の締切日は2004年２月24日（火）正午必着とする。
選考委員は大鉢 忠（会長）、平松和政（編集委員長）、進藤 勇、北村健二、
古川保典、佐藤周一、逸見 学、宮澤信太郎の各委員である。
（選考委員は会長と会誌編集委員長の他、毎年半数交代となる。）
(4) 書類は封筒に「結晶成長学会技術賞」と朱書の上、下記に送られたい。
＜奨励賞＞
１．主旨
内外の権威ある学術雑誌などに発表された原著論文の第一著者が、2004年4月1日現在、満35歳未満であり、その論文が注目され、将来結晶成長学の進歩発展への貢献が大いに期待されると認められる個人会員に日本結晶成長学会奨励賞を授与する。授賞日は第34回結晶成長国内会議（NCCG-34、東京農工大）の会期中とする。
第1回の受賞者は、次の通りである。
長島和茂
(1. "Time development of a solute diffusion field and morphological
instability on a planar interface in the directional growth of ice
crystals", in J. Crystal Growth,
202 (2000) 167-174.
2. "Interferometric observation of the
effects of gravity on the horizontal growth of ice crystals in a thin growth
cell", in Physica D, 147 (2000) 177-186.) NCCG-33
吉崎 泉
(1.
"Systematic analysis of supersaturation and lysozyme crystal
quality", in Acta Crystallographica
D 57 (2001) 1621-1629.
2. "Systematic analysis of the effect of
supersaturation on protein crystal quality" in J. Crystal Growth 237-239 (2002) 295-299.) NCCG-33
２．推薦または応募の方法
(1)会員は下記の必要書類を一括して、毎年締め切り日までに会長宛郵送する。必要書類は(A)当該論文の別刷9部、(B)400字程度の推薦（または自薦）理由書9部、（C）候補者の勤務地、職名、所在地、電話、自宅住所、氏名、生年月日、E-mailアドレスを記入した文書9部。
(2)受賞の資格は会員（会費完納者）であることとする。
(3)候補論文は内外の権威ある学術雑誌などに掲載されたものとする。また、対象者は第一著者のみで、2004年4月1日現在において満35歳未満であることとする。
(4)推薦・応募の締切日は2004年2月24日（火）正午必着とする。選考委員は論文賞の選考委員と同じである。
(5)書類は封筒に「結晶成長学会奨励賞」と朱書の上、下記に送られたい。
論文賞・技術賞・奨励賞推薦資料送付先
〒610-0321 京田辺市多々羅都谷1-3
同志社大学工学部電気工学科
日本結晶成長学会会長 大鉢 忠
Tel：0774-65-6329 Fax：0774-65-6811
E-mail：tohachi@eml.doshisha.ac.jp