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次回第57回バルク成長分科会研究会のお知らせ
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日本結晶成長学会
バルク成長分科会幹事長 柿本 浩一
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拝啓 貴下ますますご清祥のこととお喜び申し上げます。
さて、当分科会では来る５月２３日（金）に下記のように第５７回研究会を開催いたします。
今回のテーマは、「ＳＯＩの現状と将来」と題して開催いたします。
つきましては、会員各位の皆様方のご出席を何とぞ宜しくお願い申し上げます。
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日時：
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平成15年5月23日（金）13:00-17:00
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場所：
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信州大学 地域共同研究センター
〒380-8553 長野県長野市若里四丁目17番1号
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TEL：
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026-269-5620
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※信州大学地域共同研究センターの案内地図を参照してください
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テーマ：
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SOI関連の現状と将来
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参加費：
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無料
（OHP資料集 会員：1000円、費会員：2500円）
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＜研究会プログラム＞
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- 13:05-13:50
量産の期待されるＳＯＩ技術とその課題
岸野正剛：姫路工業大学
13:50-14:35
窒素ドープ結晶利用によるSIMOXウェーハの高品質化
佐々木 勉 ：ワッカー・エヌエスシーイー（株） SIMOXグループ
14:35-15:20
フォトルミネッセンスによるSOIウエハーの評価
田島道夫、李志強、新井繁徳、井深重夫、藁品正敏：宇宙科学研究所
15:20-15:40
-- 休憩 --
15:40-16:25
SiGe on Insulator 構造作成技術とひずみＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴへの応用
杉山直治、手塚勉、水野智久、守山佳彦、中払周、臼田宏治、高木信一
：半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト
16:25-17:10
先端デバイス開発動向とSOI基板への期待
小椋厚志：ＮＥＣ シリコンシステム研究所
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＜お問い合わせ先＞
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