量子ドットの最初の使い道は、GaAs基板上のInAsドットに代表される半導体上の
自己形成ドット構造の発光デバイスへの応用と思われる。この応用に関して、現在も
精力的に研究が行われている。一方、量子ドット構造の応用は、それのみにとどまら
ず、各方面への広がりを見せている。
本研究会では、「量子ドット」という言葉を軸に、様々な応用研究を集めた。当
然ながら、応用が異なると、必要とする材料もサイズも構造も、全く 異なったもの
となる。それ故、片方の応用への失敗が、もう片方の応用へのアイデアのきっかけに
もなる。
この研究会を通じて、それぞれの研究範囲の拡大につながれば幸いである。
主催： 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
応用物理学会結晶工学分科会
東京農工大学21世紀COE「未来ナノ材料」
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日時： 平成１８年３月２０日（月）13：00 〜 17：00 |
| 場所： 東京農工大学 小金井キャンパス Ｌ００１１教室（講義棟１階） 〒184-8588 東京都小金井市中町2-24-16 詳しくは東京農工大学ホームページの交通アクセス・キャンパスマップ hhttp://www.tuat.ac.jp/access/をご参照ください。 |
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参加費： 参加費：一般 ３０００円、学生 １０００円 |
| 13：00〜13：30 | 「広帯域半導体光増幅器に向けたInP上InAs量子ドットのMOVPE成長」 | |
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河口研一、江川満、秋山知之、安岡奈美、植竹理人 富士通(株)、(財)光産業技術振興協会 |
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菅原充 富士通(株) |
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江部広治、荒川泰彦 東京大学 |
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| 13：30〜14：00 | 「 自己組織化量子ドット超格子と高効率太陽電池への応用」 | |
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岡田至崇 筑波大学大学院数理物質科学研究科 |
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| 14：00〜14：30 | 「量子ドット蛍光体 ―形成メカニズムからデバイス化まで―」 | |
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村瀬至生 産業技術総合研究所 |
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| 14：30〜14：50 | (コーヒーブレーク) | |
| 14：50〜15：20 | 「 量子ドット超格子熱電材料」 | |
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山本淳 産業技術総合研究所 |
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| 15：20〜15：50 | 「液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成」 | |
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間野高明、小口信行 物質材料研究機構ナノマテリアル研究所 |
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| 15：50〜16：20 | 「不均一量子ドット構造を利用した超広帯域発光素子の実現」 | |
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李祐植、三宅信輔、宇治原徹、竹田美和 名古屋大学大学院工学研究科 |
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| 16：20〜17：00 | フリーディスカッション | |
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宇治原 徹 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 〒464-8603 名古屋市千種区不老町 tel:052-789-3368 fax:052-789-3239 e-mail: ujihara@numse.nagoya-u.ac.jp |