エピタキシャル成長におきましては、基板の結晶情報を利用することで成長薄膜を単結晶化しますが、それに対して、アモルファス成長や、基板とまったく異なる材料の薄膜成長では、しばしば多結晶化が引き起こされます。しかしながら、現在、多くの分野で用いられている多結晶薄膜では、多結晶といえども結晶方位が配向しており、粒界構造を制御することで、単結晶の特性に迫る結晶が実現されつつあります。これらの結晶制御過程におきましては、近年の結晶成長技術の発展が大きく寄与しております。本講演会では、異なる４つの材料系におきまして、どのようなアイデアを活用し単結晶ライクな多結晶を作り上げていったかをご紹介頂き、それぞれの分野の情報を交換することにより、究極の多結晶の姿と、その成長法改善への指針を得ることを目的といたします。
主催： 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
共催： 応用物理学会結晶工学分科会、東京農工大学21世紀COE「未来ナノ材料」
（主催と共催に関して、一部間違えておりました。関係各位にはご迷惑をおかけしました）
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日時： 2007年3月16日（金）13：00 〜 17：00 |
| 場所： 東京農工大学 小金井キャンパス Ｌ００１１教室（講義棟１階） 〒184-8588 東京都小金井市中町2-24-16 詳しくは東京農工大学ホームページの交通アクセス・キャンパスマップ http://www.tuat.ac.jp/access/をご参照ください。 |
| 13：00〜13：10 | 「イントロダクトリー」 | |
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成塚重弥 名城大学 |
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| 13：10〜13：55 | 「次世代ＴＦＴ用大結晶粒アレイSi膜の作製と結晶方位制御への取り組み」 | |
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加藤智也 (株)液晶先端技術開発センター(ALTEDEC) |
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| 13：55〜14：40 | 「スピントロニクス薄膜における結晶成長と配向制御」 | |
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角田匡清1)， 高橋研1,2) 1)東北大学大学院工学研究科電子工学専攻， 2)東北大学未来科学技術共同研究センター |
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| 14：40〜15：00 | (コーヒーブレーク) | |
| 15：00〜15：45 | 「線材開発における配向超電導薄膜の結晶成長（仮題）」 | |
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和泉輝郎 超電導工学研究所 |
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| 15：45〜16：30 | 「異種基板表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長技術（イリジウム表面を中心に）」 | |
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澤邊厚仁 青山学院大学理工学部電気電子工学科 |
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| 16：30〜17：00 | 「フリーディスカッション＆クロージング」 | |
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宇治原徹 名古屋大学 |
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参加費： 参加費：一般 ３０００円、学生 １０００円 定員：７０名 申込方法：下記申込先へ、電子メールにてお申し込み下さい。また、当日受付もいたします。 （いずれの場合も、参加費は当日お支払い下さい。） |
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＜申込先，問合先＞ 宇治原 徹 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 〒464-8603 名古屋市千種区不老町 tel:052-789-3368 fax:052-789-3239 e-mail: ujihara@numse.nagoya-u.ac.jp |