日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会

SiCパワーデバイスは、いまや鉄道や自動車などへの実装も進み、着実な発展と遂げている。SiC基板結晶も6インチが市販されるようになり、8インチも視野に入ってきた。しかし、SiCのさらなる本格普及に向けて、低コスト・高品質にむけた取り組みは、いまだに必要である。SiC溶液成長は次世代の基板結晶成長法として、我が国の研究者が中心となって開発が進められてきた。いまだ、市販されるレベルには達していないものの、サイズや成長速度、品質など、確実に進化しつつある。本研究会では、我が国のSiC溶液成長のプレーヤーを集結させることで、結晶成長メカニズムに基づいた成長法、最新のその場評価手法、さらには機械学習といったインフォマティクス技術の活用まで、近年の技術発展の経緯、現時点の到達点、結晶成長における新たな知見や方法論の確立、次なる課題について、徹底的に議論する。

【日時】

2018年3月28日（水）　13:00～17:55

【場所】

名古屋大学　ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
3階ベンチャーホール

【主催】

日本結晶成長学会バルク成長分科会

【参加費】

日本結晶成長学会会員：2,000円
非会員：3,000円
学生：1,000円
意見交換会（懇親会）会費：3,500円

【申込方法】

以下の要領でメールでお申し込みください。当日受付も可能ですが、事前登録にご協力ください。

• 宛先：宇治原徹（名古屋大学）
  info[at]unno.material.nagoya-u.ac.jp
• 件名：「バルク成長分科会第102回研究会　参加申込」
• メール本文に下記をご記入ください。
  　　ご氏名、フリガナ、ご所属、連絡先、
  　　会員/非会員/学生、懇親会の出欠

【プログラム】

13:00-13:05	〔開会の挨拶〕宇治原徹（名古屋大学）
13:05-13:50	講演１ 「SiC溶液成長における欠陥変換による高品質化」 原田俊太（名古屋大学）
13:50-14:35	講演２ 「溶媒組成に着目した4H-SiCバルク成長技術開発」 三谷武志（産業技術総合研究所）
14:35-15:20	講演３ 「SiCの溶液成長における界面成長機構」 吉川健（東京大学）
15:20-15:35	休憩
15:35-16:20	講演４ 「SiC溶液結晶成長のその場観察」 酒井武信（名古屋大学）
16:20-17:05	講演５ 「SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析」 太子敏則（信州大学）
17:05-17:50	講演６ 「機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討」 宇治原徹（名古屋大学）
17:50-17:55	〔閉会の挨拶〕宇治原徹
終了後	懇親会