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第78回研究会開催のお知らせ
　このたび，当分科会の第７８回研究会を開催いたします．今回のテーマは「最近の半導体結晶の動向」です．半導体材料の結晶成長に関して議論していただければと思います．また，パネルディスカッションではバルク結晶成長の今後について参加者全員で討論したいと考えています．
　多くの皆様のご出席およびご討論をお願いしたく，ご案内申し上げます．
主催： 日本結晶成長学会・バルク成長分科会
日時： 平成22年1月22日（金）13:30〜17:00
場所： 東北大学金属材料研究所 2号館1階講堂
〒980-8577　宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
詳しくは以下のホームページをご参照ください．
（http://www.imr.tohoku.ac.jp/jpn/map/index.html）
参加費： 無料
お問い合わせ先： 渡邉　匡人　　学習院大学 理学部
TEL: 03-3986-0221 (内線6459) FAX: 03-5990-1029
E-mail: masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp

宇田　聡　　東北大学 金属材料研究所
TEL: 022-215-2100 FAX: 022-215-2101
E-mail: uda@imr.tohoku.ac.jp
＜プログラム＞
13:30〜14:10 「Si融液の物性」
渡邉匡人　学習院大学 理学部
14:10〜14:50 「SiC単結晶基板の最近の開発動向」
藤本辰雄　新日本製鉄（株） 先端技術研究所
14:50〜15:00　 −　休憩　−
15:00〜15:40 「Siの一方向成長過程における双晶形成機構およびファセットデンドライト成長機構」
藤原航三　東北大学 金属材料研究所
15:40〜16:20 「TLZ法による均一組成Si0.5Ge0.5単結晶の育成」
木下恭一　宇宙航空研究開発機構
16:20〜17:00 パネルディスカッション（兼分科会幹事会） 「バルク結晶成長の今後の展開」
17:30〜 懇親会 （参加費3,000円を予定　当日集めます）