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第79回研究会開催のお知らせ
　研究会を下記の要領で行います。皆様ふるってご参加ください．
主催： 日本結晶成長学会・バルク成長分科会
日時： 平成22年6月18日（金）13:30〜17:20
場所： 東北大学金属材料研究所 4号館5階508号室(WPI-AIMR 棟)
〒980-8577　宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
詳しくは以下のホームページをご参照ください．
（http://www.imr.tohoku.ac.jp/jpn/map/index.html）
参加費： 無料
お問い合わせ先： 宇田　聡　　東北大学金属材料研究所
TEL: 022-215-2100
E-mail: uda@imr.tohoku.ac.jp
＜プログラム＞
13:30〜13:40 1.テーマ趣旨説明
宇田　聡　東北大学金属材料研究所
13:40〜15:00 2.「デバイス側からみたナイトライド用基板結晶」
松岡隆志　東北大学金属材料

3.「GaN自立基板開発への思い」
藤田慶一郎　JSTイノベーションプラザ・宮城
15:00〜15:20　 −　休憩　−
15:20〜17:20 4.「加工シリコン基板上への窒化物半導体選択へテロエピタキシ」
澤木宣彦　愛知工業大学

5.「Si基板上へのGaN系LEDの開発（依頼中）」
佐藤雅裕　サンケン電気

6.「GaN発光デバイス用基板としてのGa2O3結晶の開発物」
島村清史　物質・材料研究機構