2018年日本結晶成長学会特別講演会
「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」
現在から将来に渡るパワーエレクトロニクスの基幹となる半導体結晶の成長技術、欠陥制御等に焦点を当て、高品質化とデバイス応用に向けた課題と展望を議論します。
日時・会場
2018年7月18日（水） 13時30分～17時55分 （受付開始：13時）
京都国立博物館 平成知新館 講堂（地下1階）
（京都市東山区茶屋町527）
国宝等展示物保護のため、飲食物の持込みは一切禁じられております。
参加費
一般： 正会員 8,000円 ／ 非会員 10,000円
学生： 会員 3,000円 ／ 非会員 4,000円
賛助会員企業所属の方は、正会員扱いとなります。
※京都国立博物館への入館料（一般520円、学生260円）が別途必要となります。
※キャンパスメンバーズの大学の学生の方は、学生証の提示により入館料は無料となります。
懇親会
会場： オールデイダイニング ラジョウ
（京都市下京区東塩小路町680 京都センチュリーホテル 2F）
会費： 6,000円
プログラム
13:30-13:35
開会の辞
13:35-14:15
「パワーデバイス用MCZ-Si結晶の炭素濃度制御に関する展望」
松村 尚（グローバルウェハーズジャパン）
14:15-14:55
「高電圧SiCパワーデバイスに向けた4H-SiCエピタキシャル成長技術の進展」
土田 秀一（電力中央研究所）
14:55-15:35
「溶液法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用」
宇治原 徹（名古屋大学）
15:35-15:50
休憩
15:50-16:30
「Naフラックス法とOVPE法によるGaN結晶育成技術の新展開」
森 勇介（大阪大学）
16:30-17:10
「酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み」
斉藤 真（東北大学・三菱ケミカル）
17:10-17:50
「VAS-GaN基板を用いたパワーデバイス用材料の進展」
乙木 洋平（サイオクス）
17:50-17:55
閉会の辞
主催・世話人
主催
日本結晶成長学会
世話人
日本結晶成長学会 講演会企画運営委員
酒井 朗（大阪大学）、吉川 彰（東北大学）、大谷 昇（関西学院大学）
問合せ・申込
日本結晶成長学会 事務局
Email : jimukyoku (at) jacg.jp
申込み
終了しました。