- JCCG-51で講演(口頭、ポスター)を希望する方は、【講演申込フォーム】からお申込みください。
<必要な手順>講演申込(8/22迄)→予稿投稿(8/22迄)→参加申込/振込手続(8/22迄)
- 発表者は、日本結晶成長学会の個人会員資格が必要です。
未入会の方は講演申込前に 入会手続き を行ってください。
入会申込後、JCCG-51参加費とあわせて年会費をお振込みください。
- プログラム編成上、口頭発表がポスター発表に、ポスター発表が口頭発表になる場合があることをご了承下さい。
- 講演申込時に「発表希望カテゴリー」を選択いただきます。
下記キーワードを参考にしていただき、希望カテゴリーを選択して申込をしてください。
カテゴリー | キーワード |
結晶成長基礎 | 核生成,表面・界面現象,モルフォロジー(晶相・晶癖),その場観察(in-situ),結晶評価(ex-situ),ナノ粒子,鉱物学,元素分配 |
半導体ナノ・エピ | 窒化物,SiC,酸化物,III-V族化合物半導体,炭素材料 |
半導体バルク | Si,化合物半導体,ワイドギャップ半導体,酸化物半導体 |
機能性結晶 | 酸化物,ハライド,光・シンチレーター,誘電・圧電体,各種機能 |
バイオ・有機 | 有機・高分子結晶,バイオマテリアル・バイオミネラリゼーション,ソフトマター・分子結晶,医薬・食品系結晶,有機無機ハイブリッド材料 |
新技術・新材料 | 新物質,溶液成長・極限環境・新プロセス,ナノ・マイクロ・粒成長,磁性・超伝導・構造・環境・エネルギー,開拓・萌芽 |
講演申込締切:
2022年 7月 29日(金)23:59 2022年 8月 22日(月)23:59
講演申込は締め切りました。