2025年日本結晶成長学会特別講演会
「エピタキシーの基礎学理」
世の中に普及している電子デバイス，光デバイス，パワーデバイスなどの固体素子では一般に異種材料（ヘテロ）接合界面が用いられており，その平坦性、急峻性がデバイス特性，素子寿命に影響を与える．これらのデバイス構造の作製・製造は薄膜成長（エピタキシー）技術によって支えられているが、そのプロセス，メカニズム，特にナノスケール現象とメゾスケール現象の相関は十分に理解されていない．
本特別講演会では，量子力学の視点および統計熱力学の視点から，ナノスケール現象とメゾスケール現象について議論し理解を深めることを目的とする．ここで得られる知見、共通理解は学術的のみならず工業的にも重要である．
日時・会場
プログラム
13:30-13:40
開会挨拶
13:40-14:20
「III族窒化物半導体エピタキシーに対する量子論的アプローチ：
ステップおよびキンクの影響（仮）」
秋山 亨（三重大学）
14:20-15:00
「ステップの蛇行とバンチングについて（仮）」
佐藤 正英（金沢大学）
15:00-15:20
休憩
15:20-16:00
「原子的スムースかつ熱力学的ラフな面の界面律速成長
―2次元多数核生成が決めるナノスケール構造―（仮）」
阿久津 典子（九州大学）
16:00-16:40
「Crystal Growth and Surface Pattern Formation: Insights from the VicCA Model（仮）」
Magdalena Załuska-Kotur（Institute of Physics, Polish Academy of Sciences）
16:40-16:50
閉会挨拶
講演会参加費
正会員・名誉会員 7,000円 ／ 学生会員 3,000円
一般（非会員） 10,000円 ／ 学生（非会員） 5,000円
賛助会員 7,000円 （賛助会員企業所属の方は、正会員扱いとなります。）
*日本結晶成長学会会員の参加費は、不課税です。
*現地参加費・オンライン参加費は同額です.
資料・参加URL
・7月4日（金）：資料ダウンロード用URLを送付（会場参加者・オンライン参加者）
なお、会場での資料配布はございません。
・7月7日（月）：講演会オンラインアクセスURLを送付（オンライン参加者）
★手続きの完了を確認出来た方に、事前に、資料・アクセスURLをお送りいたします。
期日までに参加申込手続き（フォームからの参加申込、参加費支払）をお済ませください。
懇親会
場所：未定
時間：17:30～19:30
会費：5,000円（税込）－予定
*期日以降の参加申込・キャンセルは承れません。
申込
参加申込みフォーム よりお申し込みください。
講演会 申込締切：2025年7月1日（火）正午（これ以降のお申し込みは会場で承ります。）
懇親会 申込締切：2025年7月1日（火）正午（期日以降の参加申込・キャンセルは承れません。）
お支払について
・参加費、懇親会費（ご参加の方）は、【7月2日（水）正午】までにお振込みください。
・振込先口座情報は、参加登録後に届く自動返信メールに記載しています。
・登録フォームからのお申込み後、参加費の入金確認をもって登録手続きが完了します。
・ご入金者を正確に識別するため、お振込時には振込人名の前に
「参加申込番号」（自動返信メールに記載）を必ずご入力ください。
・振込手数料はご負担ください。
・領収書について
現地参加の方－特別講演会会場受付でお渡しいたします。
オンライン参加の方－7月7日（月）頃にメール添付でお送りいたします。
・請求書（見積書・納品書）は発行しておりません。
・お申込者の都合による参加費・懇親会費等納入後の返金はお受けしておりませんので
予めご了承ください。
主催・共催
主催
日本結晶成長学会
共催
九州大学応用力学研究所、JST SICORP（AtLv-AlGaN）
世話人
日本結晶成長学会 講演会企画運営委員
寒川 義裕（九州大学）、鈴木 良尚（徳島大学）、手嶋 勝弥（信州大学）
問合せ
日本結晶成長学会 事務局
Email : jimukyoku [@] jacg.jp